关于CMOS工艺的介绍：
1、概况：是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的，表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路；
2、优势：具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等优点，目前已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术；
3、工艺：电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”，N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优，从而获得广泛的应用。
